В собственном германии ширина запрещенной зоны при температуре 300 К равна 0

Дано:
T1=300 К; германий;
ΔW=0,665 эВ;
m=2;
∆T=T2-T1=?
Собственная концентрация носителей заряда определяется по формулe
ni=NcNve-ΔW2kT, (1)
где Nv- эффективная плотность состояний для дырок валентной зоны;
Nc- эффективная плотность состояний для электронов зоны проводимости;
k- постоянная Больцмана;
ΔW- ширина запрещенной зоны;
T- температура полупроводника.
По формуле (1) для температур T2 и T1 получим:
ni2=NcNve-ΔW2kT2,
ni1=NcNve-ΔW2kT1,
По условию температурным изменением эффективной плотности состояний для электронов и дырок при расчете можно пренебречь