Силовой кремниевый диод изготовлен на основе np+ перехода, площадь p-n перехода 45 мм2, напряжение пробоя - 700 В. Бесплатный доступ к контрольной работе

Реферат.Справочник
Контрольные работы по электронике, электротехнике, радиотехнике
Силовой кремниевый диод изготовлен на основе np+ перехода, площадь p-n перехода 45 мм2, напряжение пробоя - 700 В

Силовой кремниевый диод изготовлен на основе np+ перехода, площадь p-n перехода 45 мм2, напряжение пробоя - 700 В .pdf

Зарегистрируйся в 2 клика в Кампус и получи неограниченный доступ к материалам с подпиской Кампус+ 🔥

Условие

Силовой кремниевый диод изготовлен на основе np+ перехода, площадь p-n перехода 45 мм2, напряжение пробоя - 700 В, толщина дрейфового слоя - 40 мкм. Прямой ток через диод - 12 А, обратный ток - 8 мА. Рассчитать температуру нагрева кристалла, если тепловое сопротивление кристалл-окружающая среда - 2,5 °C/Вт (принять, что суммарные потери мощности определяются только потерями от протекания прямого и обратного токов).

Решение

Потяни, чтобы посмотреть

Зная температуру окружающей среды (TA) и значение полных потерь мощности в силовом диоде (PD), а также, применяя аналогию электрических и тепловых цепей, можно получить основную формулу для теплового баланса в полупроводниковом приборе и рассчитать температуру нагрева кристалла (Tj ):
Tj = TA + PDRthJA
где RthJA – тепловое сопротивление кристалл-окружающая среда.
PD = PF + PR = Iпр U+ Iобр(U-U0)
U=L2S2εε0q=40*10-62*45*10-62*8,85*10-12*1.6*10-19*12=2.68 В
PD = 12*2,38 + 0,008*(700-2,38) = 34,14
Tj = 20 + 34,14*2,5 = 105,35 0С

50% задачи недоступно для прочтения

Переходи в Кампус, регистрируйся и получай полное решение

Получить задачу