Построить схему запоминающего устройства на заданных по варианту микросхемах с увеличенной информационной ёмкостью как по адресам так и по разрядности

уникальность
не проверялась

Аа

930 символов

Микропроцессорная техника

Контрольная работа

Реферат.Справочник
Контрольные работы по микропроцессорной технике
Построить схему запоминающего устройства на заданных по варианту микросхемах с увеличенной информационной ёмкостью как по адресам так и по разрядности

Построить схему запоминающего устройства на заданных по варианту микросхемах с увеличенной информационной ёмкостью как по адресам так и по разрядности .pdf

Зарегистрируйся в 2 клика в Кампус и получи неограниченный доступ к материалам с подпиской Кампус+ 🔥

Условие

Построить схему запоминающего устройства на заданных по варианту микросхемах с увеличенной информационной ёмкостью как по адресам так и по разрядности. Задана микросхема (HN27C256) EPROM ёмкостью 32К на 8бит. Нужно увеличить ёмкость до 256K на 32бит.

Решение

Потяни, чтобы посмотреть

Количество адресных входов базовой EEPROM
log232K=log232768=15
Количество адресных входов составной EEPROM
log2256K=log2262144=18
Для увеличения разрядности до 32 бит необходимо параллельно соединить 4 микросхем, которые образуют модуль .
Для увеличения емкости до 256К необходимо взять 8 модулей заданной емкостью 32К и разрядностью 32 бит

50% задачи недоступно для прочтения

Переходи в Кампус, регистрируйся и получай полное решение

Получить задачу