Для собственного полупроводника имеющего определенную температуру определить

Ширина запрещенной зоны полупроводника зависит от температуры в соответствии с формулой:
∆εg=∆εg0-αT2T+β
∆εg=1.17-4.73*10-4*2702270+636=1.14 эВ
Определим эффективные плотности состояний в зоне проводимости и валентной зоне для определения концентрации носителей заряда. Используем формулу:
Nc=22πm*nkTh232
Nc=22π*1.08*9.109*10-31*1.38*10-23*2706.62*10-34232=2.408*1025 м-3
Nv=22πm*pkTh232
Nv=22π*0,56*9.109*10-31*1.38*10-23*2706.62*10-34232=0,899*1025 м-3
Концентрация собственных носителей заряда определяется по формуле:
ni=NcNvexp-∆εg2kT
ni=2.408*1025*0,899*1025exp-1,142*8.614*10-5*270=3.342*1014
Вычислим подвижность носителей заряда:
μT=μ0TT0-a
μn=0.15*270300-2.42=0.194
μp=0.06*270300-2.2=0.076
Удельно электрическое сопротивление определим по формуле:
ρ=1σ=1qniμn+μp
ρ=11.602*10-19*3.342*1014*0.194+0.076=69.18 кОм*м
Найдем положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны:
εF-εi=-kT2lnNcNv
εF-εi=-8.614*10-5*2702ln2.408*10250,899*1025=-0.0115 эВ
Т.о