Для полупроводника р-типа с концентрацией акцепторных примесей Na. Бесплатный доступ к контрольной работе

Реферат.Справочник
Контрольные работы по электронике, электротехнике, радиотехнике
Для полупроводника р-типа с концентрацией акцепторных примесей Na

Для полупроводника р-типа с концентрацией акцепторных примесей Na .pdf

Зарегистрируйся в 2 клика в Кампус и получи неограниченный доступ к материалам с подпиской Кампус+ 🔥

Условие

Для полупроводника р-типа с концентрацией акцепторных примесей Na, определить концентрацию основных и неосновных носителей заряда; положение уровня Ферми; удельное электрическое сопротивление; отношение полного тока, протекающего через полупроводник к дырочному току. Исходные дынные: Полупроводник р-типа Концентрация акцепторной примеси: Na = 5·1019 м-3 = 5·1013 см-3 Температура Т = 190 К Постоянная Больцмана k = 1,38·10-23 Дж/К = 8,614·10-5 эВ/К Подвижность электронов n = 0,834 м2/(В·с) Подвижность дырок p = 0,55 м2/(В·с) Эффективная плотность состояний в зоне проводимости NC = 5,333·1024 м-3 Эффективная плотность состояний в валентной зоне NV = 2,624·1024 м-3 Собственная концентрация ni = 1,737·1015 м-3 Заряд электрона q = 1,6·10-19 Кл Найти: Концентрация основных носителей заряда Концентрация неосновных носителей заряда Положение уровня Ферми Удельное электрическое сопротивление Отношение полного тока, протекающего через полупроводник к дырочному току

Решение

Потяни, чтобы посмотреть

1) Концентрация основных носителей заряда
Основными носителями заряда в полупроводнике р-типа являются дырки.
Используем условие электронейтральности полупроводника:
Так как концентрация доноров равна нулю:
В состоянии термодинамического равновесия:
Так как концентрация неосновных носителей заряда n0 значительно меньше концентрации основных носителей заряда р0, то
м-3
2) Концентрация неосновных носителей заряда
Неосновными носителями заряда в полупроводнике р-типа являются электроны.
Из закона действующих масс следует:
м-3
3) Положение уровня Ферми.
Из уравнения получаем:
эВ
Положение уровня Ферми: уровень Ферми расположен выше уровня потолка валентной зоны на 0,178 эВ.
4) Удельное электрическое сопротивление
(Ом·м)-1
5) Отношение полного тока, протекающего через полупроводник к дырочному току

50% задачи недоступно для прочтения

Переходи в Кампус, регистрируйся и получай полное решение

Получить задачу