Выберете биполярный транзистор средней мощности со структурой n-p-n

1. Выбираем транзистор КТ630В.
Расшифруем:
К – кремниевый,
Т- биполярный,
6 – средней мощности высокочастотный,
30 – номер разработки,
В – техническая группа
2. Схему включения транзистора с ОБ, в динамическом режиме отсечки
Режим отсечки транзистора получается тогда, когда эмиттерный и коллекторный р-n-переходы подключены к внешним источникам в обратном направлении. В этом случае через оба р-n-перехода протекают очень малые обратные токи эмиттера (IЭБО) И коллектора (IКБО). Ток базы равен сумме этих токов и в зависимости от типа транзистора находится в пределах от единиц микроампер — мкА (у кремниевых транзисторов) до единиц миллиампер — мА (у германиевых транзисторов).
3. Выбираем КП703
К- кремниевый, П – полевой, 703 –номер разработки
4.
Так как задан динамический режим то во входную цепь – цепь затвора, вместе с источником питания включают источник сигнала, а в выходную цепь стока – включается нагрузка.
К стоку транзистора подключается положительный полюс источника Е2, так как он будет притягивать основный носители заряда канала . К затвору транзистора подключается такой полюс, который создает обратное смещение. К затвору подключается отрицательный заряд Е1
5. Первое преимущество полевого транзистора очевидно: поскольку он управляется не током, а напряжением (электрическим полем), это значительно упрощает схему и снижает затрачиваемую на управление мощность.Второе преимущество полевого транзистора можно обнаружить, если вспомнить, что в биполярном транзисторе, помимо основных носителей тока, существуют также и неосновные, которые прибор «набирает», благодаря току базы. С наличием неосновных носителей связано хорошо нам знакомое время рассасываний, что в конечном итоге обуславливает задержку выключения транзистора