Рассчитать при каких напряжениях Uвx транзистор в схеме

Транзисторный ключ собран на кремниевом n-р-n транзисторе (т.к. полярность источника Ек положительная).
рис.8
Для получения режима насыщения необходимо на вход ключа подать такое напряжение Uвx, при котором будет протекать ток:
IБ≥IБн=Екβ∙R3
для рассматриваемой схемы с учетом знаков Е и ЕК можно записать в виде:
IБ=i2-i1=UвхR1+ЕR2≥Екβ∙R3
откуда получим:
Uвх≥-Е∙R1R2+Ек∙R1β∙R3=--3∙10 00010 000+10∙10 00060∙1000=4,67 B
Для получения режима отсечки необходимо обеспечить напряжение на базе:
UБ≤Uпор
где UПОР - пороговое напряжение транзистора.
Условие отсечки для n-p-n транзисторов:
UБ < Uпор
Условие отсечки транзистора перепишем в виде:
UБ=Uвх∙R2R1+R2+E∙R1R1+R2-IKo∙R1∙R2R1+R2<UПОР
откуда следует:
Uвх<UПОР-E∙R1R2+R1∙IKo
Uвх<0,6+3∙10 00010 000+10 000∙2∙10-6=3,62 B
Условие активного режима:
UПОР-E∙R1R2+R1∙IKo<Uвх<-E∙R1R2+Ек∙R1β∙R3
3,62+3∙10 00010 000+10 000∙2∙10-6<Uвх<3∙10 00010 000+10∙10 00060∙1000
3,62 B<Uвх<4,67 B