Рассчитать мультивибратор с КБ емкостными связями и источником смещения

Задаемся степенью насыщения N=3. EБ=(0,2…0,6)*11=2,2…6,6. Выбираем EБ= 5 В. Далее определяем:
UКБ≥2Ек=22 В
h21э≥3Q-1(N+1)ln1+EкEБEкEБ
где Q=Ttи=850300=2,83 - скважность импульсов.
h21э≥32,83-1(3+1)ln1+115115=41,5
Выбираем транзистор П16А, у которого UКБдм= 30В (т.е. КН=0,6) и = 3045.
Находим RК:
Rк=Rк1=Rк2=Um2PkQ-1Q
Где Рк- мощность, выделяемая на резисторах (для маломощных резисторов Рк может быть выбрано 0,125 Вт)
Rк=Rк1=Rк2=1120,1252,83-12,83=626 Ом
Принимаем Rк=680 Ом.
Из условий насыщенного режима рассчитываем базовые сопротивления:
RБ1=RБ1=h21эEБ3EкRк-h21э+1IКБ0
RБ1=RБ1=30∙5311680-30+125∙10-6=3,1∙103 Ом=3,1 кОм
RБ2=RБ2=45∙5311680-45+125∙10-6=4,6∙103 Ом=4,6 кОм
Выбираем из диапазона сопротивление RБ1=RБ2=3,3 кОм.
Рассчитываем емкости базовых конденсаторов:
CБ1=tиRБln1+EкEБ+IКБ0RБ
CБ1=300∙10-63300ln1+115+25∙10-6∙3300=7,9∙10-8 Ф=79 нФ
CБ2=T-tиRБln1+EкEБ+IКБ0RБ
CБ1=(850-300)∙10-63300ln1+115+25∙10-6∙3300=1,4∙10-7 Ф=140 нФ
Выбираем стандартные значения: CБ1=100 нФ и CБ2=150 нФ.
Проверяем обеспечение заданной длительности задних фронтов генерируемых импульсов по выражению:
tc=tβlnh21эRкh21эRк-Rк-rвх
rвх- входное сопротивление транзистора, - постоянная времени транзистора, зависящая от его граничных частот, , - граничные частоты в схеме с общим эмиттером и общей базой соответственно.
tc=4,8∙ln(45∙68045∙680-680-1500)=0,36 мкс
Расчетная величина получилась меньше заданной (0,36≤1,1 мкс).