При измерении вольтамперной характеристики транзистора (структура указана в табл

Схема измерения ВАХ транзистора p-n-p типа, включенного с общим эмиттером, показана на Рис.1.
Рис. 1 Схема измерения ВАХ транзистора p-n-p типа

Амперметр РА1 служит для измерения тока базы Iб, а амперметр РА2 служит для измерения тока коллектора Iк транзистора VT. Реостат R служит для изменения тока базы Iб при неизменном напряжении коллектор-эмиттер UКЭ транзистора, задаваемым источником питания ИП.
В данной схеме проводятся измерения коэффициента β - коэффициента передачи тока базы в схеме с ОЭ при коротком замыкании выхода по переменному току:
β = ∆Iк/∆Iб|UКЭ .
Коэффициент α - коэффициента передачи тока эмиттера в схеме с ОБ:
α = ∆Iк/∆IЭ|UКБ ,
а измерения проводятся при постоянном значении напряжения база-коллектор UКБ = const . Поскольку напряжение база-эмиттер остается почти постоянным для открытого транзистора, то условия UКБ = const и UКЭ = const практически соблюдаются для обеих схем (ОЭ и ОБ) измерения коэффициентов передачи тока.
Используя соотношение
Iэ = IК + IБ ,
легко получить связь между этими коэффициентами:
α = β/(1 + β).
Расчет коэффициента β проводится по формуле
β = ∆Iк /∆ Iб = (Iк2 - Iк1)/( Iб2 - Iб1).
Проведем расчет коэффициентов β и α по имеющимся данным измерения токов базы и коллектора:
параметр Iб2 - Iб1 , мкА Iк2 - Iк1, мА β = ∆IК /∆ IБ α = β/(1 + β)
значение 10 0,2 20 0,952
Описка в одной цифре имеется в значении коэффициента β:
β = 25 вместо β = 20