Построить схему запоминающего устройства на заданных по варианту микросхемах с увеличенной информационной ёмкостью как по адресам так и по разрядности

уникальность
не проверялась

Аа

787 символов

Электроника, электротехника, радиотехника

Решение задач

Реферат.Справочник
Решенные задачи по электронике, электротехнике, радиотехнике
Построить схему запоминающего устройства на заданных по варианту микросхемах с увеличенной информационной ёмкостью как по адресам так и по разрядности

Построить схему запоминающего устройства на заданных по варианту микросхемах с увеличенной информационной ёмкостью как по адресам так и по разрядности .pdf

Зарегистрируйся в 2 клика в Кампус и получи неограниченный доступ к материалам с подпиской Кампус+ 🔥

Условие

Построить схему запоминающего устройства на заданных по варианту микросхемах с увеличенной информационной ёмкостью как по адресам так и по разрядности. Задана микросхема (M2732) EPROM ёмкостью 4К на 8бит. Нужно увеличить ёмкость до 16K на32бит.

Решение

Потяни, чтобы посмотреть

Количество адресных входов базовой EEPROM
log24K=log24096=12
Количество адресных входов составной EEPROM
log216K=log216384=14
Для увеличения емкости до 16К необходимо взять 4 микросхемы заданной емкостью 4К . На адресные входы микросхем подаются сигналы 12и младших разрядов адреса составной EPROM

50% задачи недоступно для прочтения

Переходи в Кампус, регистрируйся и получай полное решение

Получить задачу