По построенным характеристикам определяем h – параметры исследуемого транзистора

Зададимся значениями UБ1 = 0,76 В, UБ2=0,82 В и по графику входных характеристик для UК = UК3 = 3В определим приращение тока базы, соответствующее этому приращению напряжения базы ΔUБ = 0,82 – 0,76 = 0,06 В (рис.5):
IБ1 = 4,5∙10-4 А; IБ2=1,05∙10-3А.
ΔIБ = 1,05∙10-3 - 4,5∙10-4 = 0,0006 А.
По этому же графику для IБ = IБ1 = const определим ΔUБ, которое соответствует ΔUК = 3 – 0 = 3В . Получаем ΔUБ = 0,76 – 0,62 = 0,14 В.
Имея эти данные, можем определить параметры h11Э и h12Э:
h11Э = ΔUБ/ ΔIБ = 0,140,0006 = 233,33 Ом.
h12Э = ΔUБ/ΔUК = 0,143 = 0,047.
Рис.5. Определение параметров h11Э и h12Э по входным характеристикам
Зададимся значениями UК1 = 3 В, UК2=7 В и по графику выходных характеристик при IБ = IБ1 = const определим приращение тока коллектора, соответствующее этому приращению напряжения коллектора ΔUК = 7 – 3 = 4 В (рис.6):
IК1 = 2,2∙10-3 А; IК2=3,5∙10-3А.
ΔIК = 3,5∙10-3- 2,2∙10-3 = 1,3∙10-3 А.
По этому же графику при UК = UК1 = const = 3В определим UБ1 = 0,45В и UБ2 = 0,6В, которым соответствует IБ1 = 0,35∙10-5 и IБ2 = 3,08∙10-4А