Определить схему подключения тип транзистора

По виду выходных и передаточных характеристик определили, что полевой транзистор включен по схеме с общим истоком (ОИ).
На выходной характеристике наблюдаются кривые, располагающиеся по обе стороны от характеристики Uзи=0 В. Выше расположены характеристики в режиме обогащения (Uзи>0), ниже – в режиме обеднения (Uзи<0). По передаточной характеристике видим, что при нулевом значении напряжения на затворе (Uзи=0) имеется начальное значение тока Iс.нач. = 4-5 мА. Таким образом, можно сделать вывод, что заданный полевой транзистор -МДП с изолированным затвором и встроенным каналом n-типа (рис.2).
Рисунок 2 – МДП-транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом n-типа
Рисунок 3 – Схема включения МДП-транзистора со встроенным каналом n-типа с общим истоком
Система уравнений для дифференциальных параметров. Наличие большого входного сопротивления у полевых транзисторов позволяет удобно их описывать с помощью Y-параметров . Для схемы с ОИ в качестве независимых переменных принимают Uзи и Uси, а зависимые величины – Iз, Iс. Тогда транзистор описывается системой уравнений:
&Iз=f(Uзи,Uси)&Iс=f(Uзи,Uси). (1)
Тогда система уравнений для дифференциальных параметров полевого транзистора имеет вид:
&∆Iз=Y11∆Uзи+Y12∆Uси&∆Iс=Y21∆Uзи+Y22∆Uси,(2)
где Y11=∆Iз∆UзиUси=const - входная проводимость полевого транзистора, на низких частотах равна нулю;
Y12=∆Iз∆UсиUзи=const - проводимость обратной передачи, при Uси>Uси нас Y12 стремится к нулю;
Y21=S=∆Ic∆UзиUси=const – проводимость прямой передачи (крутизна характеристики прямой передачи), определяет наклон данной характеристики в любой точке;
Y22=∆Ic∆UсиUзи=const - выходная проводимость транзистора.
Величина выходной проводимости очень мала и обусловлена изменением длины канала при изменении напряжения стока