Определить как изменится концентрация свободных носителей в беспримесном Ge

1. Параметры Ge:
∆Е=0,56 эВ- ширина запрещенной зоны.
2. Концентрация собственных носителей заряда определяется как:
nn=Ncexp-EC-EFkT; pn=NVexp-EF-EVkT.
Согласно закону «действующих масс» nn∙pn=ni2, следовательно:
ni2=Ncexp-EC-EFkT∙NVexp-EF-EVkT=NcNVexp-EC-EFkT=NcNVexp-∆ЕkT,
откуда
ni=NCNVexp-∆Е2kT;
где NC- эффективные плотности состояний в зоне проводимости:
NC=2∙2πm*nkTh232;
NV- эффективные плотности состояний в валентной зоне:
NV=2∙2πm*pkTh232