Определить как изменится концентрация свободных носителей в беспримесном Ge. Бесплатный доступ к решению задач

Реферат.Справочник
Решенные задачи по электронике, электротехнике, радиотехнике
Определить как изменится концентрация свободных носителей в беспримесном Ge

Определить как изменится концентрация свободных носителей в беспримесном Ge .pdf

Зарегистрируйся в 2 клика в Кампус и получи неограниченный доступ к материалам с подпиской Кампус+ 🔥

Условие

Определить, как изменится концентрация свободных носителей в беспримесном Ge, если он будет подвергаться предельным значениям изменения температуры от 213 до 398 К. Дано: Т1=213 К; Т2=398 К; материал-Ge. Найти: ni2ni1.

Ответ

ni2ni1≈3075,4.

Решение

Потяни, чтобы посмотреть

1. Параметры Ge:
∆Е=0,56 эВ- ширина запрещенной зоны.
2. Концентрация собственных носителей заряда определяется как:
nn=Ncexp-EC-EFkT; pn=NVexp-EF-EVkT.
Согласно закону «действующих масс» nn∙pn=ni2, следовательно:
ni2=Ncexp-EC-EFkT∙NVexp-EF-EVkT=NcNVexp-EC-EFkT=NcNVexp-∆ЕkT,
откуда
ni=NCNVexp-∆Е2kT;
где NC- эффективные плотности состояний в зоне проводимости:
NC=2∙2πm*nkTh232;
NV- эффективные плотности состояний в валентной зоне:
NV=2∙2πm*pkTh232

50% задачи недоступно для прочтения

Переходи в Кампус, регистрируйся и получай полное решение

Получить задачу