Определить как изменится концентрация электронов в арсениде галлия

Собственный арсенид галлия имеет электронную проводимость. Однако тип проводимости может быть изменен путем введения примесей.
Атомы элементов второй группы (цинк, кадмий, ртуть), а также медь, серебро, золото, натрий, кальций замещают галлий в кристаллической решетке GaAs и создают дырки в валентной зоне, поскольку они имеют меньше валентных электронов, чем галлий . Следовательно, они являются акцепторами, сообщающими кристаллу проводимость р-типа.
Для дырочных полупроводников, не содержащих доноров концентрация дырок:
р=NА+n
Концентрация электронов n в полупроводнике р-типа из закона действующих масс:
, где ni - концентрация электронов в собственном полупроводнике