Определить удельную проводимость образца кремния при T=300 К

Удельная электрическая проводимость полупроводника:
σ=e∙n∙μn +p∙μp;
μn= 0,15 (м2/В·с) – подвижность электронов кремния, μp=0,45 (м2/В·с) – подвижность дырок кремния, ni=1,45·1016 (м-3) собственная концентрация носителей зарядов кремния.
Определим концентрации основных носителей зарядов в переходе:
n=ni2NA=1,45∙101622,3·1019≈9,14∙1012 (см-3)
p=ni2NД=1,45∙101622,2·1019=9,56∙1012 (см-3)
где ni=1,45·1010 (см-3) – собственная концентрация носителей заряда Si.
Тогда
σ=1,6∙10-19∙9,14∙1012∙0,15 +9,56∙1012∙0,045≈8∙10-7 Смм