Определить ширину p-n перехода созданного на основе германия с NА=1016 см-3

Высота потенциального барьера в состоянии равновесия (при отсутствии внешнего напряжения)
φk0=kTelnnnnp
k – постоянная Больцмана;
T – термодинамическая температура;
e – заряд электрона;
nn – концентрация основных носителей (электронов) в электронном полупроводнике;
np – концентрация неосновных носителей (электронов) в дырочном полупроводнике.
Следовательно
φk0=1,381∙10-23∙3001,602∙10-19∙ln104≈0,2382 В
При подаче внешнего напряжения ширина p-n перехода
δ=2εε0φk0-Ue1NА+1NД
ε – диэлектрическая проницаемость;
ε0 – электрическая постоянная;
U – внешнее напряжение (обратное берется с минусом);
NА – концентрация акцепторных примесей;
NД – концентрация донорных примесей.
Следовательно
δ=2∙16∙8,854∙10-12∙0,2382+0,11,602∙10-19∙∙11022+11022≈3,458∙10-7 м=0,3458 мкм
Ответ:
δ=0,3458 мкм