Определить концентрацию основных и неосновных носителей заряда в донорном германии при T=300 К

Собственная концентрация носителей заряда в полупроводнике
ni=NcNve-∆W2kT=22πkTh232mnmp34e-∆W2kT
Nc, Nv – эффективные плотности состояний для зоны проводимости и для валентной зоны;
∆W – ширина запрещённой зоны;
k – постоянная Больцмана;
T – термодинамическая температура.
mn – эффективная масса электронов в зоне проводимости;
mp – эффективная масса дырок в валентной области;
h – постоянная Планка.
Для германия
mnm0=0,55; mpm0=0,388
m0 – масса покоя электрона.
Следовательно
mn=0,55∙9,109∙10-31=5,010∙10-31 кг
mp=0,388∙9,109∙10-31=3,354∙10-31 кг
ni=2∙2π∙1,381∙10-23∙3006,626∙10-34232∙5,010∙10-31∙3,354∙10-3134∙e-1,153∙10-192∙1,381∙10-23∙300≈6,860∙1018 м-3
Концентрация основных носителей (электронов) в электронном полупроводнике
nn=ni+NД
Следовательно
nn=6,860∙1018+1022≈1,001∙1022 м-3=1,001∙1016 см-3
Концентрация неосновных носителей (дырок) в электронном полупроводнике
pn=ni2nn
Следовательно
np=6,860∙101821,001∙1022≈4,701∙1015 м-3=4,701∙109 см-3
Ответ:
nn=1,001∙1016 см-3
pn=4,701∙109 см-3