Обосновать выбор VD1. Рассчитать элементы схемы R1 R2 R3 C1. Бесплатный доступ к решению задач

Реферат.Справочник
Решенные задачи по электронике, электротехнике, радиотехнике
Обосновать выбор VD1. Рассчитать элементы схемы R1 R2 R3 C1

Обосновать выбор VD1. Рассчитать элементы схемы R1 R2 R3 C1 .pdf

Зарегистрируйся в 2 клика в Кампус и получи неограниченный доступ к материалам с подпиской Кампус+ 🔥

Условие

Обосновать выбор VD1. Рассчитать элементы схемы R1, R2, R3, C1. Рассчитать параметры входного воздействия Uвх. Рисунок 1 – Схема включения СИД в динамическом режиме Для построения световой характеристики: Ток прямой выбираем из характеристик светодиода – по оси х максимальное значение. Отношение тока (прямого паспортного) к току 10мА – по оси Y. Построить просто линейную зависимость с координатами: (0;0) – (Iпр/10мА). Для расчета входного тока БТ: Использовать формулу: Iб=IпрVDh21 Выбрать биполярный транзистор (по заданию Е=…). Из характеристик биполярного транзистора выбрать статистический коэффициент передачи тока (привести ссылку на характеристики транзистора). При решении задачи необходимо учесть, что входная характеристика биполярного транзистора представлена на рисунке 2. Рисунок 2 – Входная характеристика биполярного транзистора

Нужно полное решение этой работы?

Решение

Потяни, чтобы посмотреть

Выбор светодиода
По условиям задания L = 0,1 + 0,05∙ cos(ω∙t). Это означает, что 0,05 ≤ L ≤ 0,15 мКд (среднее значение L=0,1 мКд).
По условиям задания дан светодиод (основные параметры в таблице 1): цвет – красный, сила света L = 0,10 мКд при 20 мА, прямое падение напряжения на светодиоде Uпр = 2,2 В.
Расчёт параметров схемы
Задаём примерное падение выходного напряжения на биполярном транзисторе БТ: Uкэ=0,5∙Е=0,5∙6=3,0 В
Рассчитаем ток через светодиод:
Сила света IVD=LЗАДАННОЕLПАСПОРТНОЕ=0,1∙10-3мКд0,1∙10-3мКд=1
Рисунок 3 – Зависимость силы света от прямого тока (относительная излучательная характеристика)
По рисунку 3 находим IпрVD = 20 мА.
Составляем уравнение для выходного контура схемы рисунка 1 по второму закону Кирхгофа: , отсюда определяем падение
напряжения на R3: UR3=Е-Uкэ-UVD=6-3-2,2=0,8 В.
Рассчитываем сопротивление R3: R3=UR3Iпр=0,8 В20∙10-3 А=40 Ом.
Выбираем R3 по ГОСТ 28884–90: R3=39 Ом±5%.
Выберем биполярный транзистор по следующим критериям: структура n-p-n, напряжение Uкэ>6 В, частота fгр>2 МГц .
Параметры выбранного биполярного транзистора указаны в таблице 2:
Таблица 2 – Необходимые для расчёта параметры биполярного транзистора.
Тип Структура UКЭmax, В UЭБ0max, В fгр , МГц h21Э Ссылка на источник
П701 n-p-n
40 2 20 10...40 https://eandc.ru/catalog/detail.php?ID=12842
Найдём входной ток Iб=IпрVDh21Э=20∙10-320=1 мА.
Найдём падение напряжения на R3, приняв UБЭ=1 В:
UR2=UR3+UБЭ=0,8+1=1,8 В.
Ток делителя выбираем в 10 раз больше, чем ток базы.
Отсюда

50% задачи недоступно для прочтения

Переходи в Кампус, регистрируйся и получай полное решение

Получить задачу