Фотоны с длиной волн 0 6∙10-6 м и 0 6∙10-5 м поглощаются электронами в валентной зоне полупроводника с шириной запрещенной зоны 1

Появление неравновесных носителей в полупроводниках под действием электромагнитного излучения носит название внутреннего фотоэффекта, а возникающая при этом проводимость называется фотопроводимостью. Для появления дополнительных свободных носителей заряда необходимо, чтобы энергия электромагнитного кванта была не меньше, чем энергия активации проводимости (ширины запрещенной зоны): в собственных полупроводниках hν ≥ Eg . В этом случае при поглощении фотонов, соответствующих собственной полосе поглощения полупроводника, (т. е. когда энергия фотонов равна или больше ширины запрещенной зоны), могут совершаться перебросы электронов из валентной зоны в зону проводимости (см.рис.), что приведет к появлению добавочных (неравновесных) электронов (в зоне проводимости) и дырок (в валентной зоне)