Дано Т= 330 К ρ= 50 Ом·см = 0 5 Ом·м μn = 0

Концентрации носителей зарядов в собственном полупроводнике (электронов и дырок) равны между собой, n=p
Удельная проводимость такого полупроводника определяется выражением
j=enμn+μp,
где
e=1,6·10-19 Кл – заряд электрона,
μn-подвижность электронов,
μp− подвижность дырок,
n-концентрация носителей зарядов электронов .
Так как сопротивление обратно пропорционально проводимости
ρ=1j=1enμn+μp, откуда
n=1eρμn+μp
n=p=11,6∙10-19 ∙0,5 ∙0,39+0,19=2,16∙10191м3
Энергетическая диаграмма собственного проводника
Концентрация носителей в собственном полупроводнике определяется выражением
n=p=NνNce-∆W2kT
где
Nν-эффективная плотность состояний в валентной зоне,
Nc-эффективная плотность состояний в зоне проводимости,
k=1,38∙10-23ДжК-постоянная Больцмана,
Т-температура,
∆W-ширина запрещенной зоны
Откуда находим ширину запрещенной зоны
e∆W2kT=NνNcn
∆W=2kTlnNνNcn
∆W=2∙1,38∙10-23∙330∙ln2,5∙1025∙2,5∙10252,16∙1019=1,27∙10-19 Дж=0,79 эВ
Плотность дрейфовая тока равна
jдр=enμn+pμpE=enμn+μpE
где
e=1,6·10-19 Кл – заряд электрона,
μn-подвижность электронов,
μp− подвижность дырок,
n-концентрация носителей зарядов электронов