Дано NA = 1016 см-3 = 1022 м-3 ΔWA = 0

В акцепторных полупроводниках основными носителями являются дырки, неосновными – электроны. Концентрация дырок равна
рp=NАe-∆WА2kT
где
NА-концентрация акцепторов,
k=1,38∙10-23ДжК-постоянная Больцмана,
Т-температура,
∆WА-энергия активации
рp=1022∙e-0,064∙10-192∙1,38∙10-23∙330=0,5∙10221м3
концентрация электронов равна pn=n2pp
pn=(2,16∙1019)20,5∙1022=9,33∙10161м3
Энергетическая диаграмма поупроводника с акцепторной примесью
2.a) контактная разность потенциалов равна
φ=kTelnpppn
где
k=1,38∙10-23ДжК-постоянная Больцмана,
Т-температура,
e=1,6·10-19 Кл – заряд электрона,
pp-концентрация дырок в материале в p-типа,
pn-концентрация электронов в материале n-типа .
Ширина p-n перехода равна
∆x=2εε0e1NA+1NDφ=2εε0e1NA+1NDkTelnpppn
где
ε0=8,85∙10-12Фм-электрическая постоянная,
φ - контактная разность потенциалов,
ε – диэлектрическая проницаемость среды,
NA-концентрация акцепторов,
ND-концентрация доноров