Вычислить для температуры 300 К контактную разность потенциалов p-n-перехода. Бесплатный доступ к контрольной работе

Реферат.Справочник
Контрольные работы по электронике, электротехнике, радиотехнике
Вычислить для температуры 300 К контактную разность потенциалов p-n-перехода

Вычислить для температуры 300 К контактную разность потенциалов p-n-перехода .pdf

Зарегистрируйся в 2 клика в Кампус и получи неограниченный доступ к материалам с подпиской Кампус+ 🔥

Условие

Вычислить для температуры 300 К контактную разность потенциалов p-n-перехода, сформированного в кремнии, если равновесные концентрации основных носителей заряда в p- и n- областях одинаковы и равны 1023 м-3, а собственная концентрация ni=1016 м-3. Определить толщину слоя объемного заряда. Дано: Si;T=300 K; ni=1016 м-3; n=p=1023 м-3. Найти: φк;d.

Ответ

φк≈0,84 В;d≈0,149 мкм.

Решение

Потяни, чтобы посмотреть

Запишем выражение для контактной разности потенциалов:
φк=kTelnpppn; (1)
Запишем закон действующих масс:
ni=nnpn. (2)
Выразим из (2) концентрацию дырок в n области:
pn=ni2nn. (3)
Подставим выражение (3) в выражение(2), получим окончательное выражение для контактной разности потенциалов:
φк=kTelnppnnni2 . (4)
Толщина слоя объемного заряда определятся по формуле:
d=2εε0φкn+penp; (5)
где
n- концентрация электронов в n – области;
p-концентрация дырок в p-области;
φк-контактная разность потенциалов;
-диэлектрическая проницаемость среды (для кремния =12)

50% задачи недоступно для прочтения

Переходи в Кампус, регистрируйся и получай полное решение

Получить задачу