Вы исследуете образец арсенида галлия с собственной проводимостью при температуре 330 К

1)
Покажем рисунок.
На рисунке показана энергетическая диаграмма собственного полупроводника, в котором происходит процесс генерации носителей заряда. При абсолютном нуле зона проводимости пустая, как у диэлектриков, а уровни валентной зоны полностью заполнены. Под действием избыточной энергии ΔW0, появляющейся за счет температуры, облучения, сильных электрических полей и т.д., некоторая часть электронов валентной зоны переходит в зону проводимости . Энергия ΔW0 в случае беспримесного полупроводника, равна ширине запрещенной зоны и называется энергией активации. В валентной зоне остается свободное энергетическое состояние, называемое дыркой, имеющей единичный положительный заряд.
В удельную проводимость полупроводника дают вклад носители двух типов - электроны и дырки:
, где n и μn концентрация и подвижность электронов, p и μp концентрация и подвижность дырок