В собственном полупроводнике ширина запрещенной зоны εg=0 72 эВ

В собственном полупроводнике концентрация свободных электронов и дырок одинаковы:
(1)
где NC и NV – эффективные плотности состояний электронов и дырок в зонах проводимости и валентной зоне соответственно:
(2)
(3)
эффективная масса электронов в зоне проводимости полупроводника;
эффективная масса дырок в валентной зоне полупроводника;
постоянная Планка;
постоянная Больцмана;
– ширина запрещенной зоны полупроводника.
Для упрощения решения будим полагать, что
(4)
следовательно
(5)
Из (5) получаем:
(6)
Числовое значение:
Ответ: