В собственном полупроводнике ширина запрещенной зоны εg=0 72 эВ. Бесплатный доступ к контрольной работе

Реферат.Справочник
Контрольные работы по электронике, электротехнике, радиотехнике
В собственном полупроводнике ширина запрещенной зоны εg=0 72 эВ

В собственном полупроводнике ширина запрещенной зоны εg=0 72 эВ .pdf

Зарегистрируйся в 2 клика в Кампус и получи неограниченный доступ к материалам с подпиской Кампус+ 🔥

Условие

В собственном полупроводнике ширина запрещенной зоны εg=0,72 эВ. На сколько надо повысить температуру по сравнению с 300К, чтобы число электронов проводимости увеличилось в n = 2 раза? Дано: εg=0,72эВ эВ; T=300 К; n = 2. Найти: ∆T-?

Решение

Потяни, чтобы посмотреть

В собственном полупроводнике концентрация свободных электронов и дырок одинаковы:
(1)
где NC и NV – эффективные плотности состояний электронов и дырок в зонах проводимости и валентной зоне соответственно:
(2)
(3)
эффективная масса электронов в зоне проводимости полупроводника;
эффективная масса дырок в валентной зоне полупроводника;
постоянная Планка;
постоянная Больцмана;
– ширина запрещенной зоны полупроводника.
Для упрощения решения будим полагать, что
(4)
следовательно
(5)
Из (5) получаем:
(6)
Числовое значение:
Ответ:

50% задачи недоступно для прочтения

Переходи в Кампус, регистрируйся и получай полное решение

Получить задачу