В полупроводнике р-типа уровень Ферми ЕFp расположен на 0

В состоянии термодинамического равновесия концентрация основных pp и неосновных np носителей заряда определяется выражениями (pp>>np,):
pp=pi∙exp(Ei-EFp)kT
и
np=pi∙exp-(Ei-Eфp)kT,
где pp – концентрация основных зарядов; np – концентрация неосновных зарядов; pi=2,4·1013(см-3) собственная концентрация носителей зарядов, Ei-Eфp- положение уровня Ферми в полупроводниках р-типа относительно дна зоны проводимости.
Поскольку
Ei-Eфp=0,25 эВ=0,25·1,6∙10-19 Дж=0,4∙10-19 Дж ,
получим:
pp=pi∙exp(Ei-EFp)kT=2,4∙1013 ∙exp0,4∙10-191,38∙10-23·300≈2,4∙1013 ∙exp9,66≈3,76∙1017(см-3)
np=pi∙exp-(Ei-EFp)kT=2,4∙1013 ∙exp-0,4∙10-191,38∙10-23·300≈2,4∙1013 ∙exp-9,66≈1,53∙109(см-3).
Ответ: pp=3,76∙1017(см-3); np=1,53∙109(см-3).