Удельное сопротивление собственного германия при Т = 300К составляет 0

Удельная проводимость полупроводника определяется из уравнения
где n – концентрация электронов; p – концентрация дырок;
,  – подвижности электронов и дырок соответственно; е – заряд электрона.
Для собственного полупроводника , где  – собственная концентрация электронов и дырок . Поэтому собственная удельная проводимость  задается в виде
,
Откуда собственная концентрация носителей в Ge при Т = 300К будет равна
;
ni=10,43∙1,602∙10-19∙0,39+0,19=2,5∙10-19 М-3
При другой температуре будет другим и удельное сопротивление германия, поэтому концентрация дырок и электронов так же изменится