Рассчитать при каких напряжениях Uвx транзистор в схеме

Транзисторный ключ собран на кремниевом n-р-n транзисторе (т.к. полярность источника Ек положительная).
Рис.8
Для получения режима насыщения необходимо на вход ключа подать такое напряжение Uвx, при котором будет протекать ток:
IБ≥IБн=Екβ∙R3
для рассматриваемой схемы можно записать в виде:
IБ=i2+i1=UвхR1+ЕR2≥Екβ∙R3
откуда получим:
Uвх≥-Е∙R1R2+Ек∙R1β∙R3=-15*20 00020 000+15*20 00050*3000=-13 B
Для получения режима отсечки необходимо обеспечить напряжение на базе:
UБ≤Uпор
где UПОР - пороговое напряжение транзистора.
Условие отсечки для n-p-n транзисторов:
UБ < Uпор
Условие отсечки транзистора перепишем в виде:
UБ=Uвх∙R2R1+R2+E∙R1R1+R2-IKo∙R1∙R2R1+R2<UПОР
откуда следует:
Uвх<UПОР-E∙R1R2+R1∙IKo
Uвх<0,6-15∙20 00020 000+20 000∙2∙10-6=-14,36 B
Условие активного режима:
UПОР-E∙R1R2+R1∙IKo<Uвх<-E∙R1R2+Ек∙R1β∙R3
0,6-15∙20 00020 000+20 000∙2∙10-6<Uвх<-15∙20 00020 000+15∙20 00050∙3000
-14,36 B<Uвх<-13 B