Рассчитать при каких напряжениях Uвx транзистор в схеме

Транзисторный ключ собран на германиевом р-n-р транзисторе (т.к. полярность источника Ек отрицательная).
Для получения режима насыщения необходимо на вход ключа подать такое напряжение Uвx, при котором будет протекать ток:
IБ≥IБн=Екβ∙R3
для рассматриваемой схемы можно записать в виде:
IБ=i2-i1=UвхR1-ЕR2≥Екβ∙R3
откуда получим:
Uвх≤Е∙R1R2+Ек∙R1β∙R3=4∙20 00020 000+-15∙20 00020∙1000=-11 B
Для получения режима отсечки необходимо обеспечить напряжение на базе:
UБ≤Uпор
где UПОР - пороговое напряжение транзистора.
Условие отсечки для p-n-p транзисторов:
UБ > Uпор
Условие отсечки транзистора перепишем в виде:
UБ=Uвх∙R2R1+R2+E∙R1R1+R2-IKo∙R1∙R2R1+R2≥0
откуда следует:
Uвх≥-E∙R1R2+R1∙IKo
Uвх≥-4∙20 00020 000+20 000∙4∙10-6=-3,92 B
Условие активного режима:
-E∙R1R2+R1∙IKo>Uвх>E∙R1R2+Ек∙R1β∙R3
-4∙20 00020 000+20 000∙4∙10-6>Uвх>4∙20 00020 000+(-15)∙20 00020∙1000
-3,92 B>Uвх>-11 B