Принципиальная электрическая схема инвертора на МДП транзисторах с каналом n - проводимости

Рассмотрим работу схемы на рисунке 1.
На затворе транзистора VT1 постоянно присутствует напряжение источника питания Ес1, которое согласно условия задачи составляет 3 В. Под влиянием приложенного на затвор напряжения в транзисторе VT1 индуцируется канал проводимости, транзистор работает в режиме обогащения. Сопротивление канала проводимости очень мало и его в данном случае не учитываем. Транзистор VT1 находится в данном состоянии в течении всего времени работы схемы.
При значении напряжения на затворе VT2 Uвх<Uзи пор , Uвх<0,5В, что соответствует уровню логического «0», транзистор VT2 заперт и сопротивление между стоком и истоком очень велико (несколько МОм и более), а протекающий через него ток ничтожно мал (единицы мкА) . Таким образом напряжение источника питания через открытый транзистор VT1 проходит на выход схемы, его величина составляет:
Uвых=Ес1 - I VT2 * RVT2 (1)

где: Uвых – выходное напряжение, В;
Ес1 – напряжение источника питания, В;
I VT2 - ток, протекающий через транзистор VT2, А;
RVT2 – сопротивление канала транзистора VT2, Ом.
Uвых = 3 – 0 = 3 В
При значении напряжения на затворе VT2 Uвх>Uзи пор , Uвх>0,5В, что соответствует уровню логической «1», на затворе транзистора VT2 присутствует напряжение более 0,5 В и в нем индуцируется канал проводимости, транзистор работает в режиме обогащения