Построить схему запоминающего устройства на заданных по варианту микросхемах с увеличенной информационной ёмкостью как по адресам так и по разрядности

уникальность
не проверялась

Аа

966 символов

Электроника, электротехника, радиотехника

Контрольная работа

Реферат.Справочник
Контрольные работы по электронике, электротехнике, радиотехнике
Построить схему запоминающего устройства на заданных по варианту микросхемах с увеличенной информационной ёмкостью как по адресам так и по разрядности

Построить схему запоминающего устройства на заданных по варианту микросхемах с увеличенной информационной ёмкостью как по адресам так и по разрядности .pdf

Зарегистрируйся в 2 клика в Кампус и получи неограниченный доступ к материалам с подпиской Кампус+ 🔥

Условие

Построить схему запоминающего устройства на заданных по варианту микросхемах с увеличенной информационной ёмкостью как по адресам так и по разрядности. Вариант 28 (8). Задана микросхема (ATT1765F) EEPROM ёмкостью 64К на 1бит. Нужно увеличить ёмкость до 128K на 32бит.

Решение

Потяни, чтобы посмотреть

Количество адресных входов базовой EEPROM
log264K=log265536=16
Количество адресных входов составной EEPROM
log2128K=log2131072=17
Для увеличения емкости до 128К необходимо взять 2 микросхемы заданной емкостью 64К . На адресные входы микросхем подаются сигналы 16и младших разрядов адреса составной EEPROM. Старший 17й разряд подается на стробирующие входы двух микросхем – на первую подается прямой сигнал, на вторую через логический элемент НЕ

50% задачи недоступно для прочтения

Переходи в Кампус, регистрируйся и получай полное решение

Получить задачу