Полевой транзистор с каналом n типа включенный по схеме ОИ

Схема с общим истоком (ОИ) полевой транзистор с каналом n типа:
Рис. 3.1. Схема с общим истоком (ОИ).
Различие состоит в том, что диод канал – затвор включен в запирающем направлении. Входной ток при этом практически равен нулю, а входное сопротивление очень велико.
В режиме отсечки Uзи<Uпр, ic=0. Область отсечки расположена ниже ветви выходной характеристики, соответствующей напряжению Uзи=Uпр.
Посколько полевой транзистор включено с ОИ, следовательно транзистор всегда находится в режиме насыщения (Uси>Uзи-Uпр) и в области насыщения ветви выходной характеристики расположены почти горизонтально, т . е. ток стока практически не зависит от напряжения Uси.
Передаточная характеристика МОП-транзистора для области насыщения аппроксимируется выражением:
iс=12b(Uзи-Uпр)2