Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей в областях полупроводника

1. С учетом дырочной состовляющей обратный тепловой ток может быть записан :
I0=SqDnnpLn+DpnpLp (A),
где
Dn = 36 см2/с – коэффициент диффузии электронов кремния,
Dр = 13 см2/с – коэффициент диффузии дырок кремния,
ni=1,45∙1010 см-3-собственная концентрация носителей заряда кремния.
2 . Определим концентрации основных носителей зарядов в переходе:
np=ni2NA=1,45∙101021015=210250 (см-3),
pn=ni2Nд=1,45∙101021017=2102,5 (см-3).
Таким образом тепловой ток:
I0=0,001∙1,6∙10-19∙36∙2102500,045+13∙2102,50,03≈2,7∙10-14 (A),
3