Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей в областях полупроводника. Бесплатный доступ к контрольной работе

Реферат.Справочник
Контрольные работы по физике
Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей в областях полупроводника

Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей в областях полупроводника .pdf

Зарегистрируйся в 2 клика в Кампус и получи неограниченный доступ к материалам с подпиской Кампус+ 🔥

Условие

Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей в областях полупроводника, образующих резкий p-n-переход, равны Nд=1017 см-3, NA=1015 см-3. Площадь перехода равна S, T=300 K. Диффузионная длина электронов Ln=0.045см, диффузионная длина дырок Lp=0.03см, площадь перехода S=0,001 см2. Найти Обратный тепловой ток перехода I0, барьерную емкость Сбар и дифференциальное сопротивление перехода rpn в равновесном состоянии (u=0, i=0). Материал полупроводника-Si.

Ответ

I0≈2,7∙10-14 (A); Cбар≈345 (пФ); rpn≈95,8 (Мом).

Решение

Потяни, чтобы посмотреть

1. С учетом дырочной состовляющей обратный тепловой ток может быть записан :
I0=SqDnnpLn+DpnpLp (A),
где
Dn = 36 см2/с – коэффициент диффузии электронов кремния,
Dр = 13 см2/с – коэффициент диффузии дырок кремния,
ni=1,45∙1010 см-3-собственная концентрация носителей заряда кремния.
2 . Определим концентрации основных носителей зарядов в переходе:
np=ni2NA=1,45∙101021015=210250 (см-3),
pn=ni2Nд=1,45∙101021017=2102,5 (см-3).
Таким образом тепловой ток:
I0=0,001∙1,6∙10-19∙36∙2102500,045+13∙2102,50,03≈2,7∙10-14 (A),
3

50% задачи недоступно для прочтения

Переходи в Кампус, регистрируйся и получай полное решение

Получить задачу