Изоляция обратносмещенным p-n переходом. Бесплатный доступ к контрольной работе

Реферат.Справочник
Контрольные работы по электронике, электротехнике, радиотехнике
Изоляция обратносмещенным p-n переходом

Изоляция обратносмещенным p-n переходом .pdf

Зарегистрируйся в 2 клика в Кампус и получи неограниченный доступ к материалам с подпиской Кампус+ 🔥

Условие

Изоляция обратносмещенным p-n переходом: а) никогда не применяется в ИС. б) крайне редко применяется в ИС. в) часто применяется в ИС.

Решение

Потяни, чтобы посмотреть

Все элементы полупроводниковой микросхемы находятся внутри одного кристалла, поэтому они должны быть изолированы друг от друга. Самый естественный способ – изоляция диэлектриком, когда каждый элемент размещается в отдельном диэлектрическом кармане . Необходимость создания карманов усложняет технологию, поэтому, несмотря на хорошую изоляцию, такой способ применяется редко.
Комбинированная изоляция между транзисторами – метод является основным в современных микросхемах на биполярных транзисторах

50% задачи недоступно для прочтения

Переходи в Кампус, регистрируйся и получай полное решение

Получить задачу