Для полупроводника n-типа с концентрацией донорных примесей Nd определить концентрацию основных и неосновных носителей заряда. Бесплатный доступ к контрольной работе

Реферат.Справочник
Контрольные работы по материаловедению
Для полупроводника n-типа с концентрацией донорных примесей Nd определить концентрацию основных и неосновных носителей заряда

Для полупроводника n-типа с концентрацией донорных примесей Nd определить концентрацию основных и неосновных носителей заряда .pdf

Зарегистрируйся в 2 клика в Кампус и получи неограниченный доступ к материалам с подпиской Кампус+ 🔥

Условие

Для полупроводника n-типа с концентрацией донорных примесей Nd определить концентрацию основных и неосновных носителей заряда; положение уровня Ферми; удельное электрическое сопротивление; отношение полного тока, протекающего через полупроводник к дырочному току. Исходные дынные: Полупроводник n-типа Концентрация донорной примеси: Nd = 18·1020 м-3 = 18·1014 см-3 = 1,8·1015 см-3 Температура Т = 270 К Постоянная Больцмана k = 1,38·10-23 Дж/К = 8,614·10-5 эВ/К Заряд электрона q = 1,6·10-19 Кл Подвижность электронов n = 0,197 м2/(В·с) Подвижность дырок p = 0,076 м2/(В·с) Эффективная плотность состояний в зоне проводимости NC = 2,4·1025 м-3 Эффективная плотность состояний в валентной зоне NV = 9·1024 м-3 Собственная концентрация ni = 4·1014 м-3 Найти: Концентрация основных носителей заряда Концентрация неосновных носителей заряда Положение уровня Ферми Удельное электрическое сопротивление Отношение полного тока, протекающего через полупроводник к дырочному току

Решение

Потяни, чтобы посмотреть

1) Концентрация основных носителей заряда
Основными носителями заряда в полупроводнике n-типа являются электроны.
Условие электронейтральности полупроводника:
Так как концентрация акцепторов равна нулю:
В состоянии термодинамического равновесия:
Так как концентрация неосновных носителей заряда p0 значительно меньше концентрации основных носителей заряда n0, то
м-3
2) Концентрация неосновных носителей заряда
Неосновными носителями заряда в полупроводнике n-типа являются дырки.
Из закона действующих масс следует:
м-3
3) Положение уровня Ферми.
Из уравнения получаем:
эВ
Положение уровня Ферми: уровень Ферми расположен ниже уровня дна зоны проводимости на 0,22 эВ.
4) Удельное электрическое сопротивление
(Ом·м)-1
5) Отношение полного тока, протекающего через полупроводник к дырочному току

50% задачи недоступно для прочтения

Переходи в Кампус, регистрируйся и получай полное решение

Получить задачу

Для полупроводника n-типа с концентрацией донорных примесей Nd определить концентрацию основных и неосновных носителей заряда

Условие

Решение

Гранитный щебень фракции 10-20 мм имеет среднюю плотность 1450 кг/м3

Исследование влияния неоднородности электрических полей на электрический пробой диэлектриков

Оптическая плотность 0,1 н раствора Cr3+ составляла А = 2,87. Измеренная в адекватных условиях оптическая плотность исследуемого раствора