Через пластину кремния с удельным сопротивлением 0
.pdf
Зарегистрируйся в 2 клика в Кампус и получи неограниченный доступ к материалам с подпиской Кампус+ 🔥
Через пластину кремния с удельным сопротивлением 0,01 Ом*м проходит электрический ток плотностью 10 мА/мм2. Найти средние скорости дрейфа электронов и дырок, если их подвижности равны 1400 и 500 см2В⋅с.
Дано: ρ=0,01 Ом⋅м;J=10мАмм2; μn=1400см2В⋅с; μp=500 см2В⋅с
Найти: vn, vp=?
Нужно полное решение этой работы?
Ответ
vn=14мс;vp=5мс
Тест
1. Какой из перечисленных материалов при T=300 К обладает полупроводниковыми свойствами:
Диоксид кремния
Манганин
Тиконд
Нитрид галлия
2. Какое удельное электрическое сопротивление характерно для полупроводников:
105…108 Ом*м
10-5…108 Ом*м
>108 Ом*м
10-5…10-8 Ом*м
3. Где, на энергетической диаграмме полупроводника, располагаются примесные донорные уровни?
Вблизи зоны проводимости З.П.
Посередине В.З. и З.П.
Вблизи валентной зоны В.З.
Входят в состав З.П.
4. Какие носители заряда являются основными в случае полупроводника n-типа?
Электроны
Фононы
Фотоны
Дырки
5. Какой области не наблюдается на температурной зависимости удельной проводимости от температуры?
Собственной электропроводности
Активации примесей
Истощения примесей
Ионизации примесей
6. При каком условии в полупроводнике «появляются» неравновесные носители заряда?
При внешнем воздействии
При легировании полупроводника
С течением времени
Не появляются вовсе
7. Для осуществления какого из процессов оптического поглощения энергия падающего светового излучения должна быть максимальна:
Примесного оптического поглощения
Поглощения носителями заряда
Собственного оптического поглощения
Межпримесного поглощения
8. Какое выражение описывает соотношение действующих масс?
n0p0=ni2
n0p0=2ni
ni+pi=2ni
nipi=n02
9. Какой из приведенных материалов используется для получения полупроводникового лазера?
Арсенид лития
Кремний
Арсенид галлия
Нитрид германия
10. Какой по знаку температурный коэффициент удельного сопротивления имеют полупроводниковые материалы?
Температурный коэффициент удельного сопротивления полупроводниковых материалов имеет отрицательный знак.
Решение
Скорость дрейфа электронов и дырок соответственно:
vn=μnE
vp=μpE
Плотность тока через пластину кремния:
J=σE=Eρ
Отсюда напряженность:
E=Jρ
Подставим напряженность в скорости дрейфа:
vn=μnJρ=1400⋅10-4⋅10⋅10-310-6⋅0,01=14 м/с
vp=μpJρ=500⋅10-4⋅10⋅10-310-6⋅0,01=5 м/с
Ответ: vn=14мс;vp=5мс
Тест
1. Какой из перечисленных материалов при T=300 К обладает полупроводниковыми свойствами:
Диоксид кремния
Манганин
Тиконд
Нитрид галлия
2. Какое удельное электрическое сопротивление характерно для полупроводников:
105…108 Ом*м
10-5…108 Ом*м
>108 Ом*м
10-5…10-8 Ом*м
3
. Где, на энергетической диаграмме полупроводника, располагаются примесные донорные уровни?
Вблизи зоны проводимости З.П.
Посередине В.З. и З.П.
Вблизи валентной зоны В.З.
Входят в состав З.П.
4. Какие носители заряда являются основными в случае полупроводника n-типа?
Электроны
Фононы
Фотоны
Дырки
5. Какой области не наблюдается на температурной зависимости удельной проводимости от температуры?
Собственной электропроводности
Активации примесей
Истощения примесей
Ионизации примесей
6
Задать вопрос
на новый заказ в Автор24.
