Через пластину кремния с удельным сопротивлением 0

Ответ

vn=14мс;vp=5мс Тест 1. Какой из перечисленных материалов при T=300 К обладает полупроводниковыми свойствами: Диоксид кремния Манганин Тиконд Нитрид галлия 2. Какое удельное электрическое сопротивление характерно для полупроводников: 105…108 Ом*м 10-5…108 Ом*м >108 Ом*м 10-5…10-8 Ом*м 3. Где, на энергетической диаграмме полупроводника, располагаются примесные донорные уровни? Вблизи зоны проводимости З.П. Посередине В.З. и З.П. Вблизи валентной зоны В.З. Входят в состав З.П. 4. Какие носители заряда являются основными в случае полупроводника n-типа? Электроны Фононы Фотоны Дырки 5. Какой области не наблюдается на температурной зависимости удельной проводимости от температуры? Собственной электропроводности Активации примесей Истощения примесей Ионизации примесей 6. При каком условии в полупроводнике «появляются» неравновесные носители заряда? При внешнем воздействии При легировании полупроводника С течением времени Не появляются вовсе 7. Для осуществления какого из процессов оптического поглощения энергия падающего светового излучения должна быть максимальна: Примесного оптического поглощения Поглощения носителями заряда Собственного оптического поглощения Межпримесного поглощения 8. Какое выражение описывает соотношение действующих масс? n0p0=ni2 n0p0=2ni ni+pi=2ni nipi=n02 9. Какой из приведенных материалов используется для получения полупроводникового лазера? Арсенид лития Кремний Арсенид галлия Нитрид германия 10. Какой по знаку температурный коэффициент удельного сопротивления имеют полупроводниковые материалы? Температурный коэффициент удельного сопротивления полупроводниковых материалов имеет отрицательный знак.