Биполярный транзистор n-p-n-структуры

Рассмотрим связь между токами в схеме включения биполярного транзистора с общим эмиттером.
В данной схеме включения общим электродом выступает эмиттер. Входным электродом является база, а выходным– коллектор. В схеме включения с ОЭ входной сигнал подводится к участку база-эмиттер транзистора, а снимается с участка коллектор-эмиттер, входным током является ток базы Iб , а выходным– ток коллектора Iк (рис.1).
Схема включения биполярного транзистора рис.1 соответствует его активному режиму работы, т.е. переход эмиттер база включен в прямом направлении, а переход коллектор база в обратном.
Рис.1. Диаграмма токов в транзисторе
Если напряжение коллектор-эмиттер равно нулю Uкэ =0 (короткое замыкание коллектора с эмиттером), то в этом случае открывается не только эмиттерный, но и коллекторный переходы, транзистор работает в режиме насыщения и ток базы равен сумме общего тока эмиттера и общего тока коллектора и возрастает более резко при увеличении напряжения Uбэ:
Iб=Iэ+Iк≈Iэ0еUбэφт+Iк0еUбэφт . (1)
При Iб =0 (обрыв базы) в цепи коллектор-эмиттер протекает ток, называемый сквозным током транзистора:
I0=(β+1)∙IК0 (2)
Входная характеристика транзистора при Uкэ1=0 начинается из начала координат, при увеличении по модулю напряжения база-эмиттер ток базы изменяется по экспоненциальному закону и напоминает прямую ветвьвольтамперной характеристики двух параллельно включенных электронно-дырочных переходов. Уравнения для расчетов основаны на том, что поведение транзистора в основном сводится к поведению диода, эквивалентного переходу база-эмиттер. Уравнение для входной характеристики Iб=f(Uбэ, Uкэ):
Iб=Ikβ=Iк0еUбэφтβ1+UкэUA