Биполярный транзистор n-p-n-структуры. Бесплатный доступ к контрольной работе

Реферат.Справочник
Контрольные работы по электронике, электротехнике, радиотехнике
Биполярный транзистор n-p-n-структуры

Биполярный транзистор n-p-n-структуры .pdf

Зарегистрируйся в 2 клика в Кампус и получи неограниченный доступ к материалам с подпиской Кампус+ 🔥

Условие

Дано: Биполярный транзистор n-p-n-структуры, включенный по схеме ОЭ, имеет параметры: сквозной тепловой ток I0=10-13A, коэффициент передачи тока базы β=140. Заданы напряжение питания EК =8 В и нагрузочное сопротивление RК=1,2 кОм. Найти: Рассчитать и построить на графике передаточную характеристику транзистора Uкэ= f (Uбэ). Расчеты выполнить в диапазоне изменения напряжения Uбэ, соответствующем изменению напряжения Uкэ=0…EК. В рабочей точке, соответствующей Uкэ=EК/2, рассчитать коэффициенты усиления по току KI и по напряжению KU .

Нужно полное решение этой работы?

Решение

Потяни, чтобы посмотреть

Рассмотрим связь между токами в схеме включения биполярного транзистора с общим эмиттером.
В данной схеме включения общим электродом выступает эмиттер. Входным электродом является база, а выходным– коллектор. В схеме включения с ОЭ входной сигнал подводится к участку база-эмиттер транзистора, а снимается с участка коллектор-эмиттер, входным током является ток базы Iб , а выходным– ток коллектора Iк (рис.1).
Схема включения биполярного транзистора рис.1 соответствует его активному режиму работы, т.е. переход эмиттер база включен в прямом направлении, а переход коллектор база в обратном.
Рис.1. Диаграмма токов в транзисторе
Если напряжение коллектор-эмиттер равно нулю Uкэ =0 (короткое замыкание коллектора с эмиттером), то в этом случае открывается не только эмиттерный, но и коллекторный переходы, транзистор работает в режиме насыщения и ток базы равен сумме общего тока эмиттера и общего тока коллектора и возрастает более резко при увеличении напряжения Uбэ:
Iб=Iэ+Iк≈Iэ0еUбэφт+Iк0еUбэφт . (1)
При Iб =0 (обрыв базы) в цепи коллектор-эмиттер протекает ток, называемый сквозным током транзистора:
I0=(β+1)∙IК0 (2)
Входная характеристика транзистора при Uкэ1=0 начинается из начала координат, при увеличении по модулю напряжения база-эмиттер ток базы изменяется по экспоненциальному закону и напоминает прямую ветвьвольтамперной характеристики двух параллельно включенных электронно-дырочных переходов. Уравнения для расчетов основаны на том, что поведение транзистора в основном сводится к поведению диода, эквивалентного переходу база-эмиттер. Уравнение для входной характеристики Iб=f(Uбэ, Uкэ):
Iб=Ikβ=Iк0еUбэφтβ1+UкэUA

50% задачи недоступно для прочтения

Переходи в Кампус, регистрируйся и получай полное решение

Получить задачу

Биполярный транзистор n-p-n-структуры

Условие

Нужно полное решение этой работы?

Решение

Рис 5 1. Заданная схема. Определить токи мощности и построить векторную диаграмму токов и напряжений

Для электрической цепи схема которой приведена ниже

Начертить схему замещения электрической цепи с обозначением характера сопротивлений всех ветвей